发明名称 半導体素子の製造方法
摘要 透光性基板(11)上に透明導電膜(12)を形成した透明導電性基板(1)を洗浄を行わずにプラズマ装置の反応室内に搬入し(工程(a))、CH4ガスおよびH2ガスを用いたプラズマによって透明導電膜(12)を処理する(工程(b))。工程(b)の後、半導体素子を透明導電膜(12)上に順次積層し(工程(c),(d))、半導体素子(10)を製造する(工程(e))。
申请公布号 JPWO2014010310(A1) 申请公布日期 2016.06.20
申请号 JP20140524682 申请日期 2013.05.21
申请人 シャープ株式会社 发明人 本多 真也;奈須野 善之;西村 和仁;東名 敦志;山田 隆
分类号 H01L21/3065;H01L21/205;H01L31/10;H01L31/18 主分类号 H01L21/3065
代理机构 代理人
主权项
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