| 摘要 |
발광 소자는 기판 상에 제1 도전형 반도체층, 활성층, 및 제2 도전형 반도체층이 순차로 적층되고, 상기 제1 도전형 반도체층의 일부 및 다른 일부를 각각 노출하도록 식각된 발광 구조체, 상기 노출되는 제1 도전형 반도체층의 상기 일부의 표면 및 이와 인접하는 상기 발광 구조체의 일 측면 상에 형성되는 유전체층, 및 상기 유전체층 상에 형성되는 제1 전극을 포함한다. 발광 소자는 제1 전극에서의 광량 흡수를 감소시켜 발광 소자의 광량을 향상시킬 수 있으며, MOS 구조의 커패시터가 펄스 형태의 ESD 충격으로부터 활성층을 보호할 수 있다. |
