| 摘要 |
전계 효과형 트랜지스터는, 산화물 반도체층과, 소스 전극과, 드레인 전극과, 게이트 절연막과, 게이트 전극을 갖는 전계 효과형 트랜지스터로서, 상기 산화물 반도체층은, InSnZnO(a ＞ 0, b ＞ 0, c ＞ 0, d ＞ 0, a ＋ b ＋ c = 1) 를 포함하는 제 1 영역과, 상기 제 1 영역보다 상기 게이트 전극으로부터 먼 측에 배치되어 있고, InGaZnO(e ＞ 0, f ＞ 0, g ＞ 0, h ＞ 0, e ＋ f ＋ g = 1) 를 포함하는 제 2 영역을 갖는다. |
