| 摘要 |
処理装置（ＥＸ）は、マスクパターン（Ｍ）に形成されたパターンを基板（Ｐ）に投影露光する処理装置である。処理装置は、マスクパターンを湾曲した状態で保持するマスク保持部材（ＤＭ）と、基板を支持する基板支持部材（ＤＰ）と、マスクパターンの一部を照明する照明系（ＩＵ）と、照明系によってマスクパターン上に形成される照明領域（ＩＲ）に対応した中間像（ＩＭ）を形成すると共に、中間像の接平面（ＩＭａ）とマスクパターン上の照明領域の接平面（ＩＲａ）とをシャインプルーフの条件を満たして共役関係にする中間像形成光学系（ＰＬ１）と、中間像を、基板支持部材に支持されている基板上の投影領域（ＰＲ）に投影する投影光学系（ＰＬ２）と、を備える。 |
