POLYCRISTALLINE SILICON THIN FILM AND PROCESS FOR FORMING IT AT LOW TEMPERATURE

摘要

Couche mince en silicium polycristallin que l'on peut former à une température inférieure à 400 °C sur une plaque de base (3) en verre bon marché telle qu'une plaque de verre bleue, ou sur une plaque de base en verre (3) dotée d'électodes métalliques ou d'électrodes transparentes, et dont la teneur en hydrogène est inférieure à 5 atomes %. On peut former la couche mince en silicium polycristallin à ladite température en renouvellant plusieurs fois les étapes consistant à former une couche mince en silicium amorphe sur la plaque de verre selon, par exemple, une technique de dépôt en phase vapeur par procédé chimique, puis à exposer la couche mince à un plasma à hydrogène pendant un temps prédéterminé.