INTEGRATED MEMORY HAVING IMPROVED TESTING MEANS.

摘要

L'invention concerne les mémoires en circuit intégré, et plus spécialement les mémoires électriquement programmables. Pour tenir compte notamment du fait que des cellules de mémoire peuvent comporter des défauts de contacts d'accès qui risquent de devenir rédhibitoires lors du vieillissement, on propose selon l'invention d'effectuer un test de la manière suivante: on lit les cellules (TGF1) par comparaison entre un courant Iref de cellule de référence (TGF) et la somme du courant I de cellule testée et d'un courant de polarisation I'bias; ce courant I'bias est plus faible que le courant Ibias qui est utilisé en dehors du mode de test (en mode de lecture normale de la mémoire).