HIGH-BREAKDOWN-VOLTAGE SEMICONDUCTOR ELEMENT,申请号EP19920305660-传众专利搜索

发明名称	HIGH-BREAKDOWN-VOLTAGE SEMICONDUCTOR ELEMENT
摘要
申请公布号	EP0519741(A3)	申请公布日期	1993.05.19
申请号	EP19920305660	申请日期	1992.06.19
申请人	KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA	发明人	MATSUSHITA, KEN'ICHI;OMURA, ICHIRO;NAKAGAWA, AKIO
分类号	H01L29/06;H01L29/40;H01L29/739;H01L29/861;(IPC1-7):H01L29/06	主分类号	H01L29/06
代理机构		代理人
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