Semi-conductor device.

摘要

Beschrieben wird eine Halbleiteranordnung mit mindestens einem in einen Trägerkörper eingebrachten Bipolartransistor; bei einem Bipolartransistor können in der Raumladungszone des Basisgebiets aufgrund von Kristallfehlern des Halbleitermaterials lokale Erhöhungen der elektrischen Feldstärke auftreten, die die Funktionsweise des Bipolartransistors beeinträchtigen. Zur Erkennung fehlerhafter bzw. fehleranfälliger Halbleiteranordnungen ist für jeden derartigen Bipolartransistor in den Trägerkörper eine als Meßelement dienende Zenerdiode eingebracht; die Zenerdioden sind dabei jeweils derart im Bereich dieser Bipolartransistoren angeordnet, daß sich Kristallfehler im Basisgebiet des Bipolartransistors in die Halbleitergebiete der Zenerdiode fortsetzen. <IMAGE>