发明名称 VISIBLE LIGHT SURFACE EMITTING SEMICONDUCTOR LASER
摘要 Laser émettant en surface à cavités verticales qui comprend une cavité de laser placée en sandwich entre deux réflecteurs de Bragg répartis. La cavité de laser comporte une paire de couches d'espacement (20, 40) entourant une ou plusieurs couches d'espacement entourant une ou plusieurs couches de puits quantiques (30) actives à émission optique qui possèdent une largeur de bande interdite dans le visible et qui servent de matériau actif d'émission optique pour le dispositif. L'épaisseur de la cavité de laser est de m lambda/2neff dans laquelle m est un nombre entier, lambda est la longueur d'ondes en espace libre du rayonnement laser et neff est l'indice effectif de réfraction de la cavité. Le pompage électrique du laser est effectué en dopant lourdement le miroir inférieur (10) et le substrat (60) à l'aide d'un type de conductivité et en dopant lourdement des régions du miroir supérieur (50) à l'aide du type opposé de conductivité pour former une diode et en appliquant une tension appropriée à ladite diode. Des modes de réalisation spécifiques de la présente invention destinés à produire des rayonnements rouge, vert et bleu sont également décrits.
申请公布号 WO9309582(A1) 申请公布日期 1993.05.13
申请号 WO1992US09535 申请日期 1992.11.06
申请人 BANDGAP TECHNOLOGY CORPORATION 发明人 BRYAN, ROBERT, P.;OLBRIGHT, GREGORY, R.;LOTT, JAMES, A.;SCHNEIDER, RICHARD, P.;JEWELL, JACK, L.
分类号 H01S5/00;H01S5/04;H01S5/183;H01S5/323;H01S5/34;H01S5/343;H01S5/347 主分类号 H01S5/00
代理机构 代理人
主权项
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