COMPACT SRAM CELL LAYOUT.

摘要

On a élaboré une structure de cellule mémoire compacte pour cellule mémoire à accès sélectif statique. La cellule possède deux transistors ayant des portes (30a, 30b) qui sont pratiquement parallèles l'une par rapport à l'autre. Une première interconnexion (45) connecte la porte (30b) d'un premier transistor à une électrode (35a) du second transistor. Une seconde interconnexion (46) connecte la porte (30a) du second transistor à une électrode (35b) du premier transistor. Les deux portes et les deux interconnexions forment pratiquement un rectangle. Une ligne (47) de circuit d'alimentation en courant est placée à l'extérieur du rectangle. Cette ligne et les deux interconnexions sont formées à partir d'une couche conductrice. En outre, dans un réseau de cellules mémoires, certaines lignes (37) de circuit sont formées dans le substrat, et d'autres lignes (47) de circuit sont formées directement au-dessus desdites lignes (37) formées dans le substrat. Les lignes (37) formées dans le substrat sont pourvues de prolongements (42a, 42b) qui permettant le contact desdites lignes (37) sans qu'il y ait contact avec les autres lignes (47) situées au-dessus.