| 摘要 |
Le dispositif à semi-conducteurs décrit, qui est de préférence conçu pour des opérations de commutation, comprend un premier transistor à effet de champ (31, 32, 33) du type à enrichissement placé sur un substrat (1). Le transistor est séparé du substrat par une couche électro-isolante (2). Une couche isolante (4) est disposée sur le transistor et un second transistor à effet de champ (51, 52, 53) est placé sur cette couche. Les transistors sont disposés de façon à ce que leurs régions canal (32, 52) se couvrent les unes les autres. Les régions source (31, 51) et les régions drain (33, 53) des transistors comportent des contacts (311, 511; 331, 531) permettant la connexion des tensions de commande entre les régions source mutuellement et entre les régions drain mutuellement. Les transistors sont du type à enrichissement. L'un des transistors est à conduction de type M et l'autre transistor est à conduction de type P. En appliquant les tensions de commande entre les deux contacts source mutuellement et les deux contacts drain mutuellement et avec une polarité telle que le transistor de type P devient positif par rapport au transistor de type M, on obtient des canaux conducteurs dans les surfaces opposées des régions canal, et les transistors passent à l'état conducteur. Les composants de la présente invention comportent en outre des connexions (312, 332) permettant la connexion d'un circuit de charge. |
