| 主权项 |
1.一种双层金属连线制程,系包含: (1)于第一层金属上形成第一层氧化层; (2)形成一自旋式涂布玻璃膜; (3)形成第二层氧化层; (4)蚀刻所述第二层氧化层、自旋式涂布 玻璃膜、第一层氧化层至所述第一层金 属露出,形成一接触孔; (5)而在所述接触孔侧壁形成一介电层的 侧壁结构; (6)形成第二层金属,透过所述接触孔侧壁 第一层金属连接。2.如申请专利范围第1项所述之 制程,其 中形成第一层及第二层氧化物时,系利用 化学汽相沈积法。3.如申请专利范围第1项所述之 制程,其中 形成所述自旋式涂布玻璃膜系利用步阶自 旋涂布法及步阶烘烤法,厚度在金属线之 间为700至750毫米之间,在金属线上之间 为100至150毫米。4.如申请专利范围第2项所述之制 程,其 所述第一层及第二层氧化层氧化物可为 TEOS。 5﹒如申请专利范围第2项所述之制程,其中 形成所述介电层的侧壁结构系先沉积所述 介电层后,再利用均向性活性离子蚀刻面 成。 6.如申请专利范围第5项所述之制程,其中 所述介电层系为TEOS。图示简单说明: 图1所示为传统之双层金属连线的制 程之横截面图; 图2至图8所示为本发明在整个制程 中,各制程步骤之依序横截面图; |
