| 主权项 |
1.一种作成薄膜方法,其特征为至少2种之 材质所构成之基板表面上,只在至少一种 材质表面上,作成薄膜之方法中 i)将基板收容于真空容器内,真空容 器内真空排气至所定之压力后,将反应气 体导入真空容器内, ii)设定供给反应气体真空容器内之 压力为反应气体分子之平均自由行径(d) 较真空容器内之基板及真空容器之真空侧 露出壁间之最短距离(L)为长(d>L)之 压力领域, iii)只在构成基板表面至少2种材质 之一材质上成长薄膜,导入真空容器内反 应气体之供给总量达到另一材质上产生薄 膜之量时,停止反应气体导入真空容器者。 2﹒一种作成薄膜方法,其特征为至少2种之 材质所构成之基板表面上,只在至少一种 材质表面上作成薄膜之方法中 i)将基板收容于真空容器内,真空容 器内真空排气至所定之压力后,将反应气 体导入真空容器内, ii)设定供给反应气体真空容器内之 压力为反应气体分子之平均自由行径(d) 较真空容器内之基板及真空容器之真空侧 露出壁间之最短距离(L)为长(d/L)之 压力领域, iii)只在构成基板表面至少2种材质 之一材质上成长薄膜,飞至基板之反应气 体分子之总量达到另一材质上产生薄膜之 量时,停止反应气体导入真空容器者。 3.如申请专利范围第1项或第2项所述之作 成薄膜方法,其中基板之一材质表面成长 之薄膜系外延成长之薄膜。 4.如申请专利范围第1项或第2项所述之作 成薄膜方法,其中设定供给反应气体真空 容器内之压力为1.510^-2Torr以下者。 5.如申请专利范围第1项所述之作成薄膜方 法,其中真空容器内供给反应气体之总量 系设定基板温度予以控制。 6.如申请专利范围第1项及第2项所述之作 成薄膜方法,其中基板表面由二氧化矽与 矽所构成,反应气体为乙矽烷,只于矽表 面成长外延矽膜者。 7.如申请专利范围第1项或第2项所述之作 成薄膜方法,其中基板表面由四氮化三矽 与矽所构成,反应气体为乙矽烷气体,只 于矽之表面成长外延矽膜者。 8.如申请专利范围第1项或第2项所述之作 成薄膜方法,其中基板表面所构成之至少 2种材质系对反应气体而言,附着系数为 相异者。 9.如申请专利范围第2项所述之作成薄膜方 法,其中飞至基板之反应气体分子总量 P cr1系由下式求得: 在此,T为反应气体之温度,M为反 应气体分子之分子量,NA为亚佛加厥数 ,P为反应气体之压力。再则t cr1为压 力P时之反应气体供给速度V除另一材质 上发生薄膜时之反应气体供给总量Qc之値 (t cr1=Qc/v)。 10. 如申请专利范围第2项所述之作成薄膜 方法,其中飞至基板上反应气体分子之总 量系设定基板温度予以控制者。 11.如申请专利范围第2项所述之作成薄膜 方法,其中基板表面系由二氧化矽及矽所 构成,反应气体为乙矽烷,基板温度与反 应气体临界分子总量之间,为以下条件者。 12.如申请专利范围第2项之作成薄膜方法 ,其中在某装置下,供给反应性气体时, 求得反应气体供给速度(v)和真空容器内 压力(P)之后,使用彼等之値,以下式 计算求得临界供给量Qc,以此临界供给量 为停止导入反应气体于真空容器内之量。 T为反应气体温度 M为反应气体分子量 NA为亚佛加厥数 t cr1临界分子总量 13.一种作成薄膜方法,其特征为至少2种 之材质所构成之基板表面上,只在至少一 种材质表面上作成薄膜之方法中 i)将基板收容于真空容器内,真空容 器内真空排气至所定之压力后,将反应气 体导入真空容器内, ii)设定供给反应气体真空容器内之 压力为反应气体分子之平均自由行径(d) 较真空容器内之基板及真空容器之真空侧 露出壁间之最短距离(L)为长(d>L)之 压力领域, iii)只在构成基板表面至少2种材质 之一材质上成长薄膜,导入真空容器内反 应气体之供给总量为测定另一方材质上达 到发生薄膜时之反应气体供给总量之量, 以后作成薄膜在达到测定之反应气体供给 总量时,停止导入反应气体至真空容器内。图示简 单说明: 第1图为此发明实施例使用装置之构 成图。 第2图为乙矽烷气体分子构造模型。 第3图为在此发明实施例下,氧化膜 上无多矽核形成之照片,(a)为RHEED像 之照片,(b)为表面SEM像之照片。 第4图为在相同实施例之下于氧化膜 上发生多矽核形成之照片。(a)的为RHEED 像之照片,(b)为表面SEM像之照片。 第5图系表示此发明实施例崩解选择 成长临界量基板温度之依存性之图表。 第6图为将氧化膜上多矽成长之成长 机构模型化所示之图。 第7图为表示外延矽膜成长速度之基 板温度依存性之图表。 第8图为表示以四氮化三矽膜图案形 成之矽基板,进行选择成长实施例临界量 之基板温度依存性之图表。 第9图为二氧化矽膜及四氧化三故膜 表面形成之多矽膜之SEM照片,对(a)为 二氧化矽,(b)为四氧化三矽者。 第10图为表示其他本发明实施例选择 成长崩解临界量基板温度依存性之图表。 第11图为同其他实施例Si2H6气体之 流量与压力关系图 |
