| 发明名称 |
VERTICAL TRANSISTOR CAPACITOR MEMORY CELL STRUCTURE AND FABRICATION METHOD THEREFOR |
| 摘要 |
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| 申请公布号 |
EP0300157(B1) |
申请公布日期 |
1993.05.05 |
| 申请号 |
EP19880108135 |
申请日期 |
1988.05.20 |
| 申请人 |
INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION |
发明人 |
HWANG, WEI;LU, NICKY C. |
| 分类号 |
H01L27/04;H01L21/334;H01L21/822;H01L21/8242;H01L27/10;H01L27/108;H01L29/94 |
主分类号 |
H01L27/04 |
| 代理机构 |
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代理人 |
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| 主权项 |
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| 地址 |
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