发明名称 | 铜氧化物超导陶瓷的制法 | ||
摘要 | 本发明涉及一种铜氧化物超导陶瓷的制法,包括将含稀土元素的化合物、含碱土元素的化合物、含铜化合物以及含氧化合物进行混合,其中稀土原子、碱土原子与铜原子的比例为1∶2∶3,然后对该混合物进行热处理,将其制成超导性物质,其临界温度为50-107°K。 | ||
申请公布号 | CN1020518C | 申请公布日期 | 1993.05.05 |
申请号 | CN90101336.6 | 申请日期 | 1987.12.12 |
申请人 | 株式会社半导体能源研究所 | 发明人 | 山崎舜平 |
分类号 | H01B12/00;C04B35/50;C04B35/00 | 主分类号 | H01B12/00 |
代理机构 | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人 | 杨九昌 |
主权项 | 1.一种铜氧化物超导陶瓷的制法,该制法包括以下的步骤:制备含稀土元素的化合物,含碱土元素的化合物,含铜化合物以及含氧化合物;将上述化合物进行混合,使混合物中包含有稀土原子、碱土原子和铜原子,其比例基本上为1∶2∶3;对上述混合物进行一种热处理,以便将该混合物制成超导性物质;其中所述的化合物的纯度是99.9%或高于99.9%。 | ||
地址 | 日本神奈川县 |