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发明名称 MANUFACTURE OF INSULATED GATE TYPE FIELD EFFECT TRANSISTOR
摘要
申请公布号 JPH05109764(A) 申请公布日期 1993.04.30
申请号 JP19910271642 申请日期 1991.10.21
申请人 NEC CORP 发明人 ISHII MASAKI
分类号 H01L29/78;H01L21/285;H01L21/336 主分类号 H01L29/78
代理机构 代理人
主权项
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