发明名称 PROCESS FOR MANUFACTURING SEMICONDUCTOR COMPONENTS
摘要 Un procédé de fabrication de composants semi-conducteurs, notamment de diodes, comprend les étapes successives suivantes: la liaison de deux corps semi-conducteurs (tranches 1, 2) à conductivités de types différents (p, n) selon le procédé de liaison par fusion de silicium (SFB); la séparation d'une pluralité d'éléments semi-conducteurs (puces 8) par creusement de puits (9) dont la profondeur atteint au moins les jonctions pn; la surgravure et la passivation des jonctions pn latéralement dégagées par les puits (9); la métallisation des surfaces (10, 11) des corps semi-conducteurs et le découpage des éléments semi-conducteurs dans les corps semi-conducteurs.
申请公布号 WO9308592(A1) 申请公布日期 1993.04.29
申请号 WO1992DE00792 申请日期 1992.09.17
申请人 ROBERT BOSCH GMBH 发明人 SPITZ, RICHARD;GOEBEL, HERBERT;BIALLAS, VESNA
分类号 H01L21/02;H01L21/18;H01L21/304;H01L21/306;H01L21/329;H01L21/78 主分类号 H01L21/02
代理机构 代理人
主权项
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