发明名称 |
PROCESS FOR MANUFACTURING SEMICONDUCTOR COMPONENTS |
摘要 |
Un procédé de fabrication de composants semi-conducteurs, notamment de diodes, comprend les étapes successives suivantes: la liaison de deux corps semi-conducteurs (tranches 1, 2) à conductivités de types différents (p, n) selon le procédé de liaison par fusion de silicium (SFB); la séparation d'une pluralité d'éléments semi-conducteurs (puces 8) par creusement de puits (9) dont la profondeur atteint au moins les jonctions pn; la surgravure et la passivation des jonctions pn latéralement dégagées par les puits (9); la métallisation des surfaces (10, 11) des corps semi-conducteurs et le découpage des éléments semi-conducteurs dans les corps semi-conducteurs. |
申请公布号 |
WO9308592(A1) |
申请公布日期 |
1993.04.29 |
申请号 |
WO1992DE00792 |
申请日期 |
1992.09.17 |
申请人 |
ROBERT BOSCH GMBH |
发明人 |
SPITZ, RICHARD;GOEBEL, HERBERT;BIALLAS, VESNA |
分类号 |
H01L21/02;H01L21/18;H01L21/304;H01L21/306;H01L21/329;H01L21/78 |
主分类号 |
H01L21/02 |
代理机构 |
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代理人 |
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主权项 |
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地址 |
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