| 摘要 |
L'invention a pour but d'empêcher la rupture aux palliers et le court-circuit des fils qui sont causés par les palliers des fossés d'isolation formés dans un substrat de silicium sur isolant (substrat SOI). A cet effet, un film d'oxyde pour un plot de connexion est formé sur un plan principal d'une couche SOI formée sur un substrat isolant, puis un film de nitrure de silicium et un film de SiO2 sont formés l'un après l'autre. On forme ensuite des fossés d'isolation qui atteignent le substrat isolant par attaque par ions réactifs, en utilisant le film de SiO2 comme masque. Un film isolant est alors formé sur la paroi interne des fossés d'isolation par oxydation thermique et du silicium polycristallin est amené à remplir les fossés d'isolation. Ce silicium polycristallin est attaqué à son tour pendant que l'opération est maintenue sous contrôle pour que l'extrémité supérieure du silicium polycristallin à l'intérieur des fossés d'isolation se trouve au-dessus de l'extrémité supérieure du film de nitrure de silicium, et l'excédent de silicium polycristallin qui s'est déposé sur la surface du substrat est enlevé. Ensuite, le silicium polycristallin à l'intérieur des fossés d'isolation et le film de nitrure de silicium sont utilisés comme barrière d'arrêt d'attaque, lors de l'attaque et de l'élimination du film de SiO2 utilisé comme masque au moment de la formation des fossés d'isolation. Etant donné que cette opération d'attaque et d'élimination du film de SiO2 utilisé comme masque est effectuée après que le silicium polycristallin est venu remplir les fossés d'isolation, le film d'oxyde servant à isoler les substrats à l'intérieur du substrat SOI n'est pas attaqué lorsque le masque est enlevé. Lors de l'attaque et de l'élimination du film de SiO2 de masquage, le silicium polycristallin et le film de nitrure de silicium à l'intérieur des fossés d'isolation servent de barrière d'arrêt d'attaque, et le film d'oxyde pour le plot de connexion constituant la couche inférieure et le film isolant formé sur la paroi interne |
