| 摘要 |
<p>Die Erfindung betrifft ein Verfahren zur Herstellung von Halbleiterbauelementen, insbesondere Dioden. Es werden folgende Schritte in nachfolgender Reihenfolge durchgeführt: Verbinden zweier Halbleiterkörper (Wafer 1, 2) unterschiedlichen Leitungstyps (p, n) nach dem Silicium-Verschmelzungs-Verbindungsverfahren (SFB), Separieren einer Vielzahl von Halbleiterelementen (Chips 8) durch Erzeugung von Gräben (9), deren Tiefe mindestens bis zu den pn-Übergängen reicht, Überätzen und Passivieren der seitlich durch die Gräben (9) freigelegten pn-Übergänge, Metallisieren der Oberflächen (10, 11) der Halbleiterkörper und Heraustrennen der Halbleiterelemente aus den Halbleiterkörpern.</p> |
