VOLTAGE VARIABLE CAPACITOR HAVING AMORPHOUS DIELECTRIC FILM

摘要

Dispositif à semiconducteur (10) comprenant un substrat à semiconducteur (12) sur lequel une couche de matière semiconductrice (14) est déposée, appliquée sous forme de revêtement ou développée épitaxialement sous la forme d'un monocristal ou de polysilicium sur la surface du substrat. La couche de matière est également un matériau semiconducteur ayant une résistivité plus élevée que le substrat sur lequel il est déposé. Une couche diélectrique (16) d'un oxyde métallique est formée sur la couche de haute résistivité (14) qui est ensuite recouverte d'une couche amorphe (18) d'un diélectrique d'oxyde métallique. Du titanate de zirconium peut être utilisé comme couche diélectrique d'oxyde métallique. Une électrode métallique (20) est formée sur la couche amorphe (18) afin d'obtenir un dispositif semiconducteur isolateur métallique. Dans une variante, la couche amorphe (18) peut être placée entre la couche de haute résistivité (14) et la couche diélectrique (16), ou bien une seconde couche amorphe (22) peut être ajoutée entre la couche de haute résistivité et la couche diélectrique. Lorsque le dispositif est excité électriquement, une région d'appauvrissement se forme dans la couche de haute résistivité, créant ainsi un condensateur à tension variable.