| 摘要 |
<P>Un procédé de fabrication d'un dispositif à semiconducteurs ayant une structure SOI, évite la formation de nouveaux défauts cristallins dans une couche de semiconducteur monocristallin sous l'effet d'un traitement thermique ou d'un traitement de polissage, ce qui permet de réduire la dispersion des caractéristiques de dispositifs actifs qui sont formés sur la couche. On chauffe jusqu'à l'état de fusion une couche de semiconducteur non monocristallin formée sur une couche isolante, et on la recristallise sous forme monocristalline (étape 501). On enlève sélectivement la région de la couche de semiconducteur monocristallin obtenue qui correspond à une partie à température élevée au cours de la fusion, avant d'appliquer un traitement thermique à cette couche (étape 502). On forme des dispositifs actifs sur les couches de semiconducteur monocristallin en forme d'îlots résultantes (étape 504). On peut polir la surface de la couche en forme d'îlot, pour l'aplanir, avant de former des dispositifs actifs (étape 503).</P>
|
