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<P>Dispositif (10) pour générer une tension de programmation (Vp) d'une mémoire permanente programmable, notamment de type EPROM, à partir d'une source externe de tension continue (Vpp), comprenant des moyens (TA, TB, R1, R2, R3) pour générer une tension de référence (Vs). <BR/> Ce dispositif (10) comprend en outre des moyens (20) pour dupliquer ladite tension de référence (Vs), agencés selon une structure de miroir de tension et de courant et générant en sortie la tension de programmation (Vp), et un transistor MOS suiveur (12) dont le drain et la source sont respectivement reliés à la source externe de tension continue (Vpp) et à la sortie desdits moyens de duplication (20) et dont la grille est reliée à un nœud interne prédéterminé (N) desdits moyens (TA, TB, R1, R2, R3) pour générer une tension de référence. <BR/> Utilisation en micro-électronique, notamment pour les mémoires EPROM.</P>
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