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发明名称 DUENNSCHICHT-MOS-TRANSISTOR MIT ZWEI GATE-ELEKTRODEN, DIE GEGENUEBER DER HALBLEITENDEN SCHICHT LIEGEN.
摘要
申请公布号 DE3879323(D1) 申请公布日期 1993.04.22
申请号 DE19883879323 申请日期 1988.08.19
申请人 SONY CORP., TOKIO/TOKYO, JP 发明人 HAYASHI, HISAO SONY CORPORATION;NEGISHI, MICHIO SONY CORPORATION;NOGUCHI, TAKASHI SONY CORPORATION;OSHIMA, TAKEFUMI SONY CORPORATION;HAYASHI, YUJI SONY CORPORATION;MAEKAWA, TOSHIKAZU SONY CORPORATION;MATSUSHITA, TAKESHI SONY CORPORATION, TOKYO KANAGAWA, JP
分类号 H01L29/78;H01L29/786;(IPC1-7):H01L29/78 主分类号 H01L29/78
代理机构 代理人
主权项
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