发明名称 用以处理半导体之化学品的定量测定方法
摘要 本发明系关于藉800-1400nm之近红外线光谱定量测定供制造半导体之化学药剂的方法以及适于实施该方法之装置。依据本发明,该药剂之水溶液的浓度可在免除知方法之缺失的情况下被测定。
申请公布号 TW204396 申请公布日期 1993.04.21
申请号 TW079107930 申请日期 1990.09.20
申请人 仓敷纺绩股份有限公司 发明人 小足克卫;柳井直树;横田博
分类号 G01N21/35 主分类号 G01N21/35
代理机构 代理人 康伟言 台北巿南京东路三段二四八号七楼;恽轶群 台北巿松山区南京东路三段二四八号七楼
主权项 1﹒一种处理半导体用化学品之浓度的定量测定方法,包括测定一浓度已知之化学品水溶液于800-1400nm处之一近红外线光谱,获得该光谱与纯水之近红外线光谱之间于800-1400nm有显着吸光谱带差异处之波长的吸收率,从该浓度与吸收率间之关系的回归分析导出如下之校准方程式(1),且藉使用校准方程式(1)测定化学品试样之浓度:C=aiAi(I)式中C为化学品试样之浓度,Ai为获得该吸光谱带之i处的吸收率,i系由化学品之种类决定的常数,i和i之値被使用来导出校准方程式(I),其中该化学品系由一氨与过氧化氢之混合物,一氢氯酸与过氧化氢之混合物,一硫酸与过氧化氢之混合物,氢氟酸、一氢氯酸与硝酸之混合物,一氢氟酸与氟化铵之混合物,以及次氯酸钠所组成之族中所择出之任一种或一种以上化学品。图示简单说明:第1图概要绘示一适于实施上述之本发明方法的装置。第2图一第7图为表示各种不同试样之参考浓度与白校准方程(I)所获得之试样的预测浓度之间的相互关联的图表。第8和第9图图为NH|OH 一 H|O|,一H|O|,系统之近红外线光谱。第10和11图为H|SO|一 H|O|,一 H|O|系统之近红外线光谱。
地址 日本