DEVICE WITH SELF-AMPLIFYING DYNAMIC MOS TRANSISTOR STORAGE CELLS.

摘要

Un dispositif avec cellules de mémoire dynamiques à auto-amplification pour transistors M.O.S. comprend des cellules de mémoire ayant chacune un transistor de sélection M.O.S. (AT) dont la grille est reliée à une ligne de mot (WL), et un transistor de mémorisation M.O.S. (ST), à la grille duquel un condensateur (C) sert à emmagasiner des charges. Cette cellule de mémoire à auto-amplification peut être décrite et lue avec une seule ligne binaire (BL) et une seule ligne de mot (WL). Les deux transistors (AT et ST) sont connectés en série et une zone commune de drain-source (DS) est reliée par une résistance non linéaire (VR) à l'électrode de grille (GST) du transistor de commande. Les avantages de l'invention résident surtout dans le fait que la géométrie des cellules peut être réduite sans que la quantité de charge (Q) lisible sur la ligne binaire (BL) ne diminue, dans le fait que la quantité de charge lisible (Q) est supérieure à la charge emmagasinée par le condensateur (C) dans la grille du transistor de mémorisation (ST) et dans le fait que les deux transistors M.O.S. (AT et ST) sont relativement faciles à produire.