Circuit for the voltage protection of the supply voltage of a CMOS integrated circuit.

摘要

In einer Schaltung zum Spannungsschutz der Speisespannung einer integrierten CMOS-Applikationsschaltung wird ein bipolarer Transistor (BT) am gemeinsamen Substrat (S) zusammen mit restlichen Schaltungen und mit der Applikationsschaltung so hergestellt, daß sich der Kollektor (K), welcher gleichzeitig auch den ersten Kontakt am Substrat darstellt, in einem Abstand in der Größe der 1,5-fachen Tiefe der Insel (O), wo sich der Emitter (E) und die Basis (B) befinden, befindet. Zwischen dem Kollektor (K) und dem weit von ihm entfernt montierten zweiten Kontakt am Substrat (SK) liegt für jene Transistortypen, welche dem Leitfähigkeitstyp des Substrates (S) entgegengesetzt sind, der verbotene Bereich (Fig.2). <IMAGE>