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发明名称 PROCESS FOR FORMING REFRACTORY METAL SILICIDE LAYERS IN AN INTEGRATED CIRCUIT
摘要
申请公布号 EP0471185(A3) 申请公布日期 1993.04.21
申请号 EP19910111474 申请日期 1991.07.10
申请人 INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION 发明人 HARTSWICK, THOMAS J.;KAANTA, CARTER W.;LEE PEI-ING P.;WRIGHT, TERRANCE M.
分类号 H01L21/027;H01L21/28;H01L21/285;H01L21/3205;H01L21/336;H01L21/8234;H01L23/52;H01L27/06;H01L29/78;(IPC1-7):H01L21/60;H01L21/90 主分类号 H01L21/027
代理机构 代理人
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