| 摘要 |
<P>Pour fabriquer un dispositif à semiconducteurs ayant une faible capacité grille-source, on forme sur un substrat (10) une couche épitaxiale de semiconducteur (11) d'un premier type de conductivité; on forme successivement sur la couche épitaxiale deux couches de métal qui sont attaquées à des vitesses différentes par un agent d'attaque sélectionné; on soumet les couches de métal empilées à une opération d'attaque par voie sèche pour former une électrode de grille qui comprend une section d'électrode de grille supérieure (13b) plus large et une section d'électrode de grille inférieure (13a) plus étroite; et on utilise la section d'électrode de grille supérieure à titre de masque pour implanter une impureté du type de conductivité opposé dans la couche épitaxiale de semiconducteur, ce qui forme une région de source (16) dont un bord est proche de la section d'électrode de grille inférieure mais ne s'étend pas au-dessous de cette dernière.</P> |
