发明名称 PROCESS FOR GENERATING EXCITED NEUTRAL PARTICLES FOR ETCHING AND SEPARATION PROCESSES IN SEMICONDUCTOR TECHNOLOGY
摘要 <p>Es wird ein Plasmaentladungsrohr (5) mit einem Durchmesser, der einer Viertelwellenlänge der stehenden Welle entspricht, gewählt und das Hohlleitersystem (2) derart dimensioniert und abgestimmt, daß die stehende Welle ein erstes Spannungsmaximum an einer ersten Seite des Plasmaentladungsrohres (5) ausbildet und die stehende Welle auch reflektiert zugeführt wird, so daß sie ein zweites, gegenphasiges Spannungsmaximum an einer zweiten Seite des Plasmaentladungsrohres (5), die der ersten Seite gegenüberliegt und einem Endabschluß (12) des Hohlleitersystems (2) zugewandt ist, ausbildet. Zur Erreichung eines besonders niedrigen Arbeitsdruckes wird ein gesteuertes Magnetfeld angelegt.</p>
申请公布号 WO1993007639(A1) 申请公布日期 1993.04.15
申请号 EP1992002268 申请日期 1992.09.30
申请人 发明人
分类号 主分类号
代理机构 代理人
主权项
地址