INTEGRIERTE HALBLEITERSCHALTUNG MIT ALS DUENNSCHICHTSTEGE AUF DEN DIE AKTIVEN TRANSISTORBEREICHE TRENNENDEN FELDOXIDBEREICHEN ANGEORDNETEN LASTWIDERSTAENDE UND VERFAHREN ZU IHRER HERSTELLUNG.
摘要
申请公布号
AT87766(T)
申请公布日期
1993.04.15
申请号
AT19870116666T
申请日期
1987.11.11
申请人
SIEMENS AKTIENGESELLSCHAFT
发明人
WINNERL, JOSEF, DR. RER. NAT.;NEPPL, FRANZ, DR. RER. NAT.
