| 发明名称 |
DISPOSITIVO DI MEMORIA INTEGRATO A SEMICONDUTTORI UTILIZZANTE UN CIRCUITO DI PROVA |
| 摘要 |
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| 申请公布号 |
ITMI920457(A1) |
申请公布日期 |
1993.04.15 |
| 申请号 |
IT1992MI00457 |
申请日期 |
1992.02.28 |
| 申请人 |
SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD. |
发明人 |
NAKASHIMA TAKASHI |
| 分类号 |
G01R31/28;G11C17/00;G11C29/00;G11C29/04;G11C29/12;G11C29/34;G11C29/38;G11C29/56;H01L;H01L21/66;H01L27/10 |
主分类号 |
G01R31/28 |
| 代理机构 |
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代理人 |
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| 主权项 |
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| 地址 |
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