| 摘要 |
<p>Eine integrierte Halbleiterspeichervorrichtung (10) enthält zeilen- und spaltenweise angeordnete Speicherzellen, die jeweils einen MOS-Feldeffekttransistor (T) mit einer nicht angeschlossenen Gate-Elektrode (14) enthalten. Die Drain-Elektroden aller MOS-Feldeffekttransistoren (T) in einer Spalte sind miteinander verbunden und an die zugehörige Spaltenleitung (20) angeschlossen. Die Gate-Elektroden aller MOS-Feldeffekttransistoren (T) in einer Zeile sind ebenfalls miteinander verbunden und an eine zugehörige Zeilenleitung (16) angeschlossen. Die Source-Elektroden aller MOS-Feldeffekttransistoren (T) sind miteinander verbunden und an einen eigenen Steueranschluß (26) angeschlossen. <IMAGE></p> |
