PROCEDE DE CROISSANCE DE COUCHES HETEROEPITAXIALES.

摘要

Procédé selon lequel la réalisation d'une couche d'un matériau semiconducteur sur un substrat se fait par croissance dans un espace de confinement défini par ce substrat (1) et par une couche de confinement (3) et cela à partir d'un germe (20). Selon l'invention la section droite du germe, sensiblement perpendiculaire à la direction globale de croissance, possède une partie centrale épaisse encadrée par deux parties latérales amincies. L'espace de confinement à la même section droite que le germe.
Avantage: Le front de croissance est entièrement contenu dans un plan perpendiculaire à la direction de croissance.
Applications: Croissance d'un semiconducteur sur un autre semiconducteur tel que l'AsGa sur Silicium.