MANUFACTURE OF INSULATED TYPE FIELD EFFECT TRANSISTOR,申请号JP19910276295-传众专利搜索

发明名称	MANUFACTURE OF INSULATED TYPE FIELD EFFECT TRANSISTOR
摘要
申请公布号	JPH0590295(A)	申请公布日期	1993.04.09
申请号	JP19910276295	申请日期	1991.09.30
申请人	NEC CORP	发明人	YONETANI NOBUYUKI
分类号	H01L29/78;H01L21/28;H01L21/336;H01L27/04;H01L29/866	主分类号	H01L29/78
代理机构		代理人
主权项
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