PROCEDIMIENTO DE CONVERSION PARA PASIVAR TRAYECTOS DE CORRIENTE EN CORTOCIRCUITOS EN DISPOSITIVOS SEMICONDUCTORES, Y ARTICULOS PRODUCIDOS POR ESTE.

摘要

UN DISPOSITIVO ELECTRONICO (21), DEL TIPO QUE INCLUYE UN CUERPO DE PELICULA ESTRECHA CON UN ELECTRODO SUPERPUESTO (26), Y QUE TIENE DEFECTOS DE CORTOCIRCUITO (32A, 32B), PASIVADOS MEDIANTE UN PROCESO DE CONVERSION EN EL QUE LA RESISTIVIDAD ELECTRICA DEL MATERIAL DEL ELECTRODO SE AUMENTA (42A, 42B) PROXIMA A LA DE LAS ZONAS DE DEFECTOS. LA CONVERSION SE ACOMPAÑA DE UNA EXPOSICION DEL MATERIAL DEL ELECTRODO A UN REACTIVO DE CONVERSION (38), Y DE UNA ACTIVACION (41) DEL REACTIVO PROXIMO A LAS ZONAS DE DEFECTOS. EL PROCESO PUEDE SER UTILIZADO POR UNA GRAN VARIEDAD DE DISPOSITIVOS CONFIGURADOS DIFERENTEMENTE, Y PUEDE SER ADAPTADO RAPIDAMENTE PARA SU UTILIZACION EN EL PROCESO DE FABRICACION DE DISPOSITIVOS CILINDRO A CILINDRO.