MOS technique in SOI technique.

摘要

Auf einer isolierenden Schicht (12), die auf einem Substrat (11) aus einkristallinem Silizium angeordnet ist, ist zwischen Source- und Drain-Gebiet (14) ein Kanalgebiet (13) aus dotiertem, einkristallinem Silizium angeordnet. An der Oberfläche des Kanalgebietes (13) ist ein Gatedielektrikum (15) und darauf eine Gateelektrode (16) angeordnet. Die Länge des Kanalgebietes (13) zwischen Source- und Drain-Gebiet (14) ist größenordnungsmäßig im wesentlichen gleich der Dicke des Kanalgebietes (13) zwischen der isolierenden Schicht (12) und dem Gatedielektrikum (15). Insbesondere weist das Kanalgebiet (13) eine Länge von 15 nm bis 100 nm auf. <IMAGE>