非晶硅摄像靶

摘要

本发明属电真空器件领域。非晶硅摄像靶是新型摄像管，本发明采用气载掺杂剂P，BBr3或In、Ga方法掺杂非晶硅分别制备空穴阻挡层和光电导层制成的摄像靶灵敏度高而工艺简单。本发明不加电子阻挡层仍靶暗电流，惰性小摄像靶可以在高环境温度下使用。

主权项

1.一种非晶硅摄像靶，它由玻璃基片(4)，SnO2导电层(3)，250A的空穴阻挡层(2)以及1～2μ的光电导层(1)组成，其特征在于所说空穴阻挡层是由10SCCM流量经净化过的H2，通过温度为290℃汽化赤磷表面，与120SCCM流量的SiH4混合，在13.56MHz反应室内分解，沉积1分30秒制成；所说的光电导层是由10SCCM流量经净化高纯度的H2携带BBr3或加热到700-750℃的Ga、In的蒸汽与120SCCM流量的SiH4混合，在13.56MHz下，分解沉积1小时制成。