Thyristor with edge structure.

摘要

Die katodenseitige Basiszone des Thyristors ist in einen zentralen Bereich (7) und einen mit einem kleinen Winkel abgeschrägten Randbereich (5) unterteilt. Der zentrale Bereich hat eine höhere Randdotierungskonzentration und an der katodenseitigen Oberfläche einen höheren Dotierungsgradienten als der Randbereich. Damit läßt sich die katodenseitige Basiszone (4) einerseits zentral hoch dotieren und andererseits am Rand auf eine ausreichende Sperrspannung dimensionieren. Ein Hineinlaufen der Raumladungszone in den zentralen Bereich wird an der Oberfläche (11) dadurch verhindert, daß die Gesamtdotierung im Randbereich innerhalb der Raumladungszone höher ist als 1 x 10¹² Atome cm<->².