发明名称 PMN–PNN–PT,PMW–PNN–PT三元介电陶瓷组成物(一)
摘要 本发明提出一种PMN-PNN-PT,PMW-PNN-PT三元介电陶瓷组成物,其为一种可以在低温下烧结制成电容器之铅型钙钛矿化合物,其所制成的电容器具备高介电常数和低介电常数之温度相关性,并且外加直流偏压对其造成的电容之降低程度很小,此陶瓷组成物是由镁铌酸铅[Pb(Mg1/3 Nb2/3)O3],镍铌酸铅[Pb(Mi1/3 Nb2/3)O3]和钛酸铅[PbTiO3]构成之三元系统所组成,或由镁钨酸铅[Pb(Mg1/2 W1/2)O3],钛酸铅[PbTiO3]和镍铌酸铅[Pb(Mi1/2 Nb2/3)O3]构成之三元系统组成,并且在三元系统中加入适量的锰铌酸镧[La(Mn2/3 Nb1/3)O3]或用预定量的La3+或Ca2+离子取代存在于三元系统中的Pb2+离子。
申请公布号 TW202423 申请公布日期 1993.03.21
申请号 TW081102781 申请日期 1992.04.10
申请人 日本电气股份有限公司 发明人 古谷充;森透;越智笃
分类号 C01G21/00;C01G33/00;C04B35/46 主分类号 C01G21/00
代理机构 代理人 何金涂 台北巿大安区敦化南路二段七十七号八楼
主权项 1﹒一种PMN─PNN─PT三元介电陶瓷组成物 ,包括一种三元系统为主成分,此三元系 统实质上是由镁铌酸铅 [Pb(Mg 1/3 Nb2/3)O3],镍铌酸铅 [Pb (Ni1/3Nb2/3)O3]和钛酸铅[ PbTiO3]组成,其通式表示如下:[pb (Mg1/3Nb2/3)O3]x [Pb(Ni1/3Nb2/3)O3]y (PbTiO3]z,其中,下标x,y和z满足 以下关系:x+y+z=1﹒0,并且是位 在以下如第1图之七点坐标(a)到(g)连 成的线段上或范围内 (x=0﹒10 ,y=0﹒70,z=0﹒20) …(a) (x=0﹒10 , y=0﹒10 ,Y=0﹒475,z=0﹒425)…(b) (x=0﹒625,y=0﹒05,z=0﹒325) …(c) (x=0﹒75 ,y=0﹒05,z=0﹒20) …(d) (x=0﹒75,y=0﹒15,z=0﹒10) …(e) (x=0﹒50 ,y=0﹒4 ,y=0﹒40 ,z=0﹒10 …(f) (x=0﹒15, y=0﹒70 ,z=0﹒15 …(g) 这些坐标是位在一三角形三元系统图上; 以及0﹒01─10莫耳%之锰铌酸镧[La( Mn2/3Nb1/3)O3]作为添加剂。 2﹒如申请专利范围第1项之PMN─PNN─PT 三元介电陶瓷组成物,其中锰铌酸镧之用 量是介于28莫耳%之间。 3﹒一种PMN─PNN─PT三元介电陶瓷组成物 ,包括一种三元系统为主成分,此系统实 质上是由镁钨醯铅 [Pb(Mg 1/2 W1/2)O3]钛酸铅[ PbTiO3]和镍铌酸铅[Pb(N1/3Nb2/3 )O3]组成,其通式表示如下:[Pb( Mg1/2W1/2)O3]x [PbTiO3]y [Pb(Ni1/3Nb2/3)O3]y,其中,下标x ,y和z满足以下关系:x+y+z= 1﹒0,并且是位在以下如第2图之四点坐 标(h)到(k)连成的线段上或范围内: (x=0﹒693,y=0﹒297,z=0﹒01)…(h) (x=(0﹒39,y=0﹒60,z=0﹒01) …(i) (X=0﹒05,y=0﹒55,Z=0﹒40) …(J) (x=0﹒06 ,Y=0﹒24,z=0﹒70) …(k) 这些坐标是位在一三角形三元系统图上; 以及0﹒01─10莫耳%之锰铌酸镧[La(Mn 23Nb13)O3]作为添加剂。 4﹒如申请专利范围第3项之PMW─PNN─PT 三元介电陶瓷组成物,其中锰铌酸镧之用 量是介于2─8莫耳%之间。 5﹒一种PMN─PNN─PT三元介电陶瓷组成物 ,包括一种三元系统为主成分,此三元系 统实质上是由镁铌酸铅 [Pb(Mg 1/3 Nb2/3)O3],镍铌酸铅 [Pb (Ni1/3Nb2/3)O3]和钛酸铅[ PbTiO3]组成,其通式表示如下:[Pb (Mg1/3Nb2/3)O3]X [Pb(N1 1/3Nb2/3)O3)y [PllTlnh:其中,下标,y和z满足 以下关系:x+y+z=1﹒0,并且是位 在以下如第1图之七点坐标(a)到(g)连 成的线段上或范围内: (x=0﹒10 ,y=0﹒70,z=0﹒20) …(a) (x=0﹒10 , y=0﹒10 ,Y=0﹒475,z=0﹒425)…(b) (x=0﹒625,y=0﹒05,z=0﹒325) …(c) (x=0﹒75 ,y=0﹒05 ,z=0﹒20) …(d) (x=0﹒75,y=0﹒15,z=0﹒10) …(e) (x=0﹒50 ,y=0﹒4 ,y=0﹒40 ,z=0﹒10…(f) (x=0﹒15, y=0﹒70 ,z=0﹒15 …(g) 这些坐标是位在一三角形三元系统图上; 且在其主成分中有0﹒01─30莫耳%的铅离 子(Pb2+)被镧离子(La3+) 所取代。 6﹒如申请专利范围第5项之PMN─PNN─PT 三元介电陶瓷组成物,其中La3+取代物之 用量是介于2─20莫耳%之间。 7﹒一种PMN─PNN─PT元介电陶瓷组成物 ,包括一种三元系统为主成分,此系统实 质上是由镁钨酸铅 [Pb(Mg 1/2 W1/2)O3]钛酸铅[ PbTiO3]和镍铌酸铅[Pb(N1/3Nb2/3 )O3]组成,其通式表示如下:[Pb( Mg1/2W1/2)O3]x [PbTiO3]y [Pb(Ni1/3Nb2/3)O3]y,其中,下标x [Pb (Mg1/2 W1/2)O3],钛酸铅[ ,y和z满足以下关系:x+y+z= 1﹒0,并且是位在以下如第2图之四点坐 标(h)到(k)连成的线段上或范围内: (x=0﹒693,y=0﹒297,z=0﹒01)…(h) (x=(0﹒39,y=0﹒60,z=0﹒01) …(i) (X=0﹒05,y=0﹒55,Z=0﹒40) …(J) (x=0﹒06 ,Y=0﹒24,z=0﹒70) …(k) 这些坐标是位在一三角形三元系统图上; 且在其主成分中有0﹒01─30莫耳%的铅离 子(pb2+)被镧离子(La2+)所取代。 8﹒如申请专利范围第7项之PMN─PNN─PT 三元介电陶瓷组成物,其中La3+取代物之 用量是介于2─20莫耳%之间。 9﹒一种PMN─PNN─PT三元介电陶瓷组成物 ,包括一种三元系统为主成分,此系统实 质上是由镁钨酸铅 [Pb(Mg 1/2 W1/2)O3]钛酸铅[ PbTiO3]和镍铌酸铅[Pb(N1/3Nb2/3 )O3]组成,其通式表示如下:[Pb( Mg1/2W1/2)O3]x [PbTiO3]y [Pb(Ni1/3Nb2/3)O3]y,其中,下标x ,y和z满足以下关系:x+y+z= 1﹒0,并且是位在以下如第2图之四点坐 标(h)到(k)连成的线段上或范围内: (x=0﹒693,y=0﹒297,z=0﹒01)…(h) (x=(0﹒39,y=0﹒60,z=0﹒01) …(i) (X=0﹒05,y=0﹒55,Z=0﹒40) …(J) (x=0﹒06 ,Y=0﹒24,z=0﹒70) …(k) 这些坐标是位在一三角形三元系统图上; 且在其主成分中有0﹒01─30莫耳%的铅离 子(Pb2+)被钙离子(Ca2+)所取代。 10﹒如申请专利范围第9项之PMN─PNN─ PT三元介电陶瓷组成物,其中Ca2+取代物 之用量是介于2─20莫耳%之间。
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