| 主权项 |
各Z相对于重复单位中的另一Z可为顺式─或反式 位置,各Ar^1含有第一炕@ 痚礡A其为含有6-12个碳原子上被取代或未被取代 之碳环芳基部分;且各╮@ 牶菗陉@个二价有机残基,其系不会干扰该聚合物 之合成,制造或使用者,其砥@ S徵在于该聚合物中有一个或多个DM系含有一个氢 化残基者,该氢化残陛@ 穨t有一个稠合到一个五元环之第二芳基,其为含 有6-12个碳原子之被取央@ N或未被取代之碳环芳基部分,该五元环除了与该 第二芳基共有的两个碳原子央@ ~皆为饱和者,且该氢化残基系经由第二芳基上的 一个单键及饱和环上的一迭@ 茬碻隞P聚合物的其他部份连接者。 2﹒一种透膜,系含有申请专利范围第1项所述聚苯 骈恶唑或聚苯骈唑聚合 物者,其中聚苯骈恶唑或聚苯骈聚合物的重复单 位中至少有约25克分 子百分比是含有一个氢化残基者。 3﹒一种方法,用以分离氧体混合物者,该方法包括 将气体混合物置于被申请 专利范围第2项所述透膜分隔成两区中的较高压力 区,另一区为较低压力 区,其条件为气体混合物的一种气体成份比该混合 物的其他气体会以较快 速率渗透过该透膜。 4﹒一种设备,包含:(1)一较迥压力区,其中可将气体 混合物维持在相当 高的压力;(2)申请专利范围第2项所述的透膜;(3)一 较低压力区,这些组件系安装成使高压力区内的气 体要穿透过该透膜 才能进入低压力区者。 5﹒如申请专利范围第2项所述之透膜,其中AR^1系下 而两化学式中之任丑@ @者式中L为羰基残基,磺醯基残基,一个氧原子,一 个低级(CO2)痋@ J基,一卤化低级烷基或一化学键。 6﹒如申请专利范围第2项所述之透膜,其中各Z为一 氧原子。 7﹒如申请专利范围第2项所述之透膜,其中各氢化 残基系下示化学式所代 表之构造者:其中各R和H^1互不相干地为一氢原子 或低级烷基,AR^ 2为第二芳基,A为一化学键或不干扰聚合物合成,制 造或使用之二价连 接残基。 8﹒如申请专利范围第2项所述之透膜,其中各氢化 残基系下示化学式所示 构造者:其中各R和H^1互不相干地为一氢原子或一 低级烷基,AR^2 为第二芳基。 9﹒如申请专利第2项所述之透膜,其中各氢化残基 系下列化学式中任一者 所示构造者:其中各R为甲基或第三丁基。 10﹒如申请专利范围第2项所述之透膜,其中该透膜 为(i)厚度介于10 微米到500微米之间的平透膜;或为(ii)壁厚介于10微 米到2 00微米之间的空心纤维透膜。 11﹒如申请专利范围第3所述之方法,其中较高压力 区中的压力比较低压力 区中的压力至少较高约100KPa'"。图示简单说明 图 1为阶梯形方块模制品之斜视图。 图2为显示在其模制前含于粒状聚( 对一苯二甲酸伸乙酯)中之寡聚物量与由 其模制之阶梯形方块中寡聚物浓度间之关 系。 |
