SLOW-WAVE ELECTRODE STRUCTURE

摘要

Une structure d'électrode à onde lente utilisable dans les modulateurs optiques intégrés (10) possédant une paire de guides d'ondes optiques intégrés, sensiblement parallèles et espacés (14,16) dans un substrat (12) semi-conducteur composé (tel que de l'arseniure de gallium (GaAs) ou du phosphure d'indium (InP)), est composée par une paire de lames conductrices (24,26) sensiblement parallèles sur la surface du substrat; chacune étant dans une position d'interaction avec le guide d'onde respectif adjacent. Les lames conductrices sont séparées capacitivement par des ailettes étroites (28), chacune faisant partie d'une des lames et s'étendant entre les lames de telle sorte que les lames conductrices et les ailettes puissent être disposées en une seule couche sur le substrat. Les ailettes étroites augmentent de manière significative la capacitance par unité de longueur entre les lames sans une diminution équivalente de l'inductance par unité de longueur le long des lames, de telle sorte que la vitesse de phase des signaux micro-ondes est réduite.