GATE OVERLAPPED LIGHTLY DOPED DRAIN (GOLDD) STRUCTURE FOR SUBMICRON TRANSISTOR AND METHOD FOR MAKING SAME

摘要

Procédé de production de transistors à grille à recouvrement. On place une première région de grille (26) sur un substrat entre deux régions de source/drain (21-22). La première région de grille comprend une région en polysilicium déposée sur une région diélectrique (35). Des régions de recouvrement de grille (36) sont placées autour de la région en polysilicium. Les régions de recouvrement de grille s'étendent sur les deux régions de source/drain. Les régions de recouvrement de grille sont formées d'une couche de siliciure de métal, par exemple du siliciure de titane. Une partie supérieure de la couche de siliciure de métal est oxydée pour former une couche de dioxyde de silicium (46) au-dessus de la couche de siliciure de métal. Au moment de l'oxydation, la couche de siliciure de métal est également soumise à recuit, ce qui permet d'améliorer la stoechiométrie du siliciure de titane.