| 摘要 |
L'invention se rapporte à un dispositif de mémoire à semiconducteur et à un procédé de fabrication d'un tel dispositif de mémoire à semiconducteur, tel que notamment une mémoire EEPROM, comportant une zone tunnel améliorée (52) où les électrons passent en direction et en provenance d'une grille flottante (2). La zone tunnel se caractérise par des propriétés qui se prêtent à un nombre relativement grand de cycles de programmation et d'effacement pendant toute la durée de vie de l'EEPROM. La zone tunnel comporte une grille à effet tunnel (4) qui est fabriquée par l'intermédiaire de deux étapes d'implant. Etant donné que ces deux étapes sont séparées l'une de l'autre, chacune peut être optimisée de façon indépendante pour améliorer les propriétés de la zone tunnel. Les fenêtres (37, 39, 50) utilisées pour définir les régions d'implant (44, 46, 54) sont en outre facilement fabriquées et sont conçues pour faciliter la formation des régions d'implant. |
