| 摘要 |
On fabrique des zones dopées sur des composants semi-conducteurs, en appliquant sur une partie de la surface du substrat du semi-conducteur une couche formant un masque d'oxydation qui contient le dopant; on chauffe ledit substrat de semi-conducteur avec la couche formant masque, à une température suffisante à la diffusion d'une partie du dopant depuis la couche formant masque vers le substrat semi-conducteur sur les surfaces non protegées duquel s'effectue également un auto-dopage indésirable pendant le processus de dopage; pour cette raison, les zones auto-dopées du substrat du semi-conducteur sont supprimées par attaque alcaline ou plasmique, ladite couche formant masque constituant une barrière protectrice pour les zones dopées se trouvant au-dessous de la couche formant masque. Dans la fabrication d'une cellule solaire possédant deux zones dopées de types conducteurs P et N respectivement, on peut utiliser la distance située entre des deux zones dopées pour régler le gradient du courant d'obscurité au moyen d'une diode polarisée dans le sens de blocage. |
