| 主权项 |
1﹒一种含下列化合式之化合物:[式中R为氢原子或 具1至18个原子烷基 ]或其药理学上可接受之盐类。 2﹒如申请专利范围第1项之化合物,其中该化合物 为3─(L─抗坏血醯基 -2-磷醯基)-甘草苦质酸。 3﹒如申请专利范围第1项之化合物其中该化合物 为3─(L─抗坏血醯基- 2-磷醯基)-甘草苦质酸甲酯。 4﹒如申请专利范围第1项之化合物其中该化合物 为3─(L─抗坏血醯基- 2-磷醯基)─甘草苦质酸乙酯。 5﹒如申请专利范围第1项之化合物,其中该化合物 为3─(L-抗坏血醯基 -2─磷醯基)─甘草苦质酸己酯钾盐。 6﹒如申请专利范围第1项之化合物,其中该化合物 为3─(L─抗坏血醯基 ─2─磷酯基)─甘草苦质酸月柱酯钾盐。 7﹒如申请专利范围第1项之化合物,其中该化合物 为3─(L─抗坏血醯基 ─2─磷醯基)─甘草苦质酸硬脂酯。 8﹒一种制造如申请专利范围第1项之化合物之方 法,包括甘草苦质酸,或其 烷酯与卤基磷酸化剂反应,所得化合物,与5─及6─ 位己先被保护之抗 坏血酸反应,最后水解产物化合物以去除保护基。 9﹒一种使用作为抗氧化剂及消炎剂之医药组成物 ,其含有申请专利范围第1 项之化合物作为活性成份。 10﹒如申请专利范围第9项之组成物,其中该化合物 为3─(L─抗坏血醯 基─2─磷醯基)─甘草苦质酸。 11﹒如申请专利范围第9项之组成物,其中该化合物 为3─(L─抗坏血醯 基─2─磷醯基)─甘草苦质酸甲酯。 12﹒如申请专利范围第9项之组成物,其中该化合物 为3─(L─抗坏血醯 基─2─磷酯基)─甘草苦质酸乙酯。 13﹒如申请专利范围第9项之组成物,其中该化合物 为3─(L─抗坏血醯 基-2-磁醯基,-甘草苦质酸己酯钾盐。 14﹒如申请专利范围第9项之组成物,其中该化合物 为3-(L─抗坏血醯 基-2-磁醯基)-甘草苦质酸月桂酯钾盐。 15﹒如申请专利范围第9项之组成物,其中该化合物 为3─(L─抗坏血醯 基-2-磷醯基)-甘草苦质酸硬脂酯。 16﹒如申请专利范围第9,10,11,12,13,14或15项之组成 物,其剂型为注射剂,限用溶液,锭剂,霜剂或栓剂。 |
