| 主权项 |
1﹒一种具有高电容値堆叠式电容器的动态随机存 取记忆体制作方法,系包含 :在一个半导体基板上选择性地形成厚场氧化物区 域,留下待制作场效元 件的元件区域;在所述元件区域的基板上形成一层 闸极介电层;在所述场 氧化区域所述九区域上沉积一层第一复晶矽厚层; 除去部分的第一复晶矽 厚层,留下部份在所述元件区城作为闸极,部份在 所述场氧化物区域;在 所述元件区域闸极两旁的半导体基板形成源/汲极 结构;在所述元件及场 氧化物区域形成一层第一绝缘层,在元件及场气化 物区域上沉积一层第二 复晶矽;在所述第二复晶矽层上沉积一层第二绝缘 层,并且经由一屑制定 堆垒式电容器区域的光罩﹒垂直单向性地使所述 第二绝缘层及所述第二复 晶矽层及所述第一绝缘层图案化;侧向蚀刻所述的 第二复晶矽层,使第二 绝缘层与第一绝缘层之间形成空腔;沈积一层第三 复晶矽层,垂直单向性 地蚀去第三复晶矽层,第二绝缘层与第二复晶矽层 ,以制定电容器下层电 极的图案去除第一绝缘层与第二绝缘层的剩余部 份,剩余的第三复晶矽层 与第二复晶矽层构成电容器的下层电极;在所述下 层电极上形成一层电容 器介电层,最后沉积一层第四复晶矽层并加以图案 化,作为所述堆叠式电 容器的上层电极。 2﹒如申请专利范围第1项之方法,其中所述第一复 晶矽层的厚度约在150 0到4000埃之间。 3﹒如申请专利范围第1项之方法,其中所述第一绝 缘层的厚度约在500到 2000之间。 4﹒如申请专利范围第1项之方法,其中所述第二复 晶矽层的厚度约在200 0到6000埃之间。 5﹒如申请专利范围第1项之方法,其中所述第二绝 缘层的厚度约在2000 到6000埃之间6﹒如申请专利范围第1项之方法,其中 蚀刻所述藉由 垂直单向性蚀去第二绝缘层、第二复晶矽层与第 一绝缘层,以在源/汲极 区形成开口时,第二复晶矽层必需经过掺杂处理。 7﹒如申请专利范围第1项之方法,其中蚀刻所述藉 由垂直单向性蚀刻技术蚀 去第二绝缘层与第二复晶矽层,以在源/汲极区形 成开口时,第三复晶矽 层可以是经过掺杂处理,也可以不经过掺杂处理。 8﹒如申请专利范围第1项之方法,其中所述第二复 晶矽层经过掺杂处理时, 系用磷酸液蚀引以形成空腔。 9﹒如申请专利范围第1项之方法,其中所述第二复 晶矽层未经过掺杂处理时 ,系用均向性的氯气电浆蚀刻以形成空腔。 10﹒如申请专利范围第1项之方法,其中所述第三复 晶矽层之厚度约在50 0到2000埃之间。 11﹒如申请专利范围第1项之方法,其中所述电容器 介电层系由二氧化矽、 氮化矽及工氧化矽等层组成。 12﹒如申请专利范围第1项之方法,其中所述第四复 晶矽层之厚度约在10 00到3000埃之间。 13﹒如申请专利范围第1项之方法,其中所述第四复 晶矽层系经过掺杂处理 。 14﹒一种具有高电容値堆叠式电容器的动态随机 存记忆体的制作方法,系包 含:在一个半导体基板上选择性地形成厚场氧化物 区域,留下待制作场 效元件的元件区;在所述元件区域的基板上形成一 层闸极介电层;在所 述场氮化区域所述九区域上沉积一层第一复晶矽 厚层;除去部分的第一 复晶矽厚层,留下部份在所述元件区域作为闸极, 部份在所述场氧化物 区域;在所述元件区城闸极两旁的半导体基板形成 源/汲极结构;在所 述元件及场氧化物区域形成一层第一绝缘层,在元 件及场氧化物区域上 沉积一层第二复晶矽及第二绝缘层及第三复晶矽; 在所述第三复晶矽层 上沉积一层第三绝缘层,并比经由一层制定堆叠式 电容器区域的光罩, 垂直单向性地使所述第三绝缘层及所述第三复晶 矽层及所述第二绝缘层 及所述第二复晶矽层图案化;侧向蚀刻所述第二复 晶矽层与第三复晶矽 层,使第二绝缘层与第一绝缘层之间,第二绝缘层 与第三绝缘层之间形 成空腔沉积一层第四复晶矽层,垂直单向性地蚀去 第四复晶矽层、第三 绝缘层、三复晶矽层,第二绝缘层与第二复晶矽层 ,以制定电容器下层 电极的图案;去除第一绝缘层、第二绝缘层与第三 绝缘层的剩余部份, 剩余的第四复晶矽层、第三复晶矽层与第二复晶 矽层构成电容器下层电 极;在所述下层电极上形成一层电容器介电层,最 后沉积一层第五复晶 矽层并加以图案化,作为所述堆叠式电容器的上层 电极。 15﹒如申请专利范围第14项之方法,其中所述第一 复晶矽层的厚度约在1 500到4000埃之间。 16如申请专利范围第14项之方法,其中所述第一绝 缘层的厚度约在500 到2000埃之间。 17﹒如申请专利范围第14项之方法,其中所述第二 复晶矽层的厚度约在2 000到埃6000之间。 18﹒如申请专利范围第14项之方法,其中所述第二 绝缘层的厚度约在20 00到6000埃之间。 19﹒如申请专利范围第14项之方法,其中所述第三 复晶矽层的厚度约在2 000到6000埃上间。 20﹒如申请专利范围第14项之方法,其中所述第三 绝缘层的厚度约在20 00到6000埃之间。 21﹒如申请专利范围第14项之方法,其中蚀刻所述 藉由垂直单向性蚀刻技 术蚀去第三绝缘层、第三复晶矽层、第二绝缘层 与第二复晶矽层,以在 源/汲区形成开口时,第二复晶矽层矽层与第三复 晶矽层必需经过掺杂 处理。 22﹒如申请专利范围第14项之方法,其中蚀刻所述 藉由垂直单向性蚀刻技 术蚀去第三绝缘层、第三复晶矽层、第二绝缘层 与第二复晶矽层,以在 源/汲极区形成开口时,第二复晶矽层与第三复晶 矽层可以是经过掺杂 处理,也可以是不经过掺杂处理。 23﹒如申请专利范围第14项之方法,其中所述第二 复晶矽层与第三复晶矽 层经过掺杂处理时,系用磷酸液蚀刻以形成空腔。 24﹒如申请专利范围第14项之方法,其中所述第二 复晶矽层与第三复晶矽 层未经过掺杂处理时,系用均向性的氯气电浆蚀刻 以形成空腔。 25﹒如申请专利范围第14项之方法,其中所述第四 复晶矽层之厚度约在5 00到2000埃之间。 26﹒如申请专利范围第14项之方法,其中所述窗容 器介电层系由二氧化矽 、氮化矽及二氧化矽等层组成。 27﹒如申请专利范围第14项之方法,其中所述第五 复晶矽层之厚度约在1 000到3000埃之间。 28﹒如申请专利范围第14项之方法,其中所述第五 复晶矽层系经过掺杂处 理。 |
