| 主权项 |
1﹒一种矽含有层之蚀刻方法,系属于在具有:SiO2膜 以及与其邻接之由 SiO2以外的含矽物质所形成的矽含有层上被处理体 上的矽含有层进行 蚀刻之方法,其特征为:具有:使得以含卤族元素之 气体为主体之处理气 体产生电浆之过程;以使选择性地使上述矽含有层 的特定部份曝露在电浆 之中以行蚀刻之过程;而且上述处理气体包含了含 氧或含氮的气体。 2﹒如申请专利范围第1项之方法,其中上述含有氧 或氮之气体系为:从O2 气,N2O气、CO2气、CO气、N2及NO2气上中所选出之1种 或 2种以上者。 3﹒如申请专利范围第1项之方法,其中上述含有卤 族元素之气体系为:从C L2气、HCI气、HBr气、HL气、SF6气、SF气之中所选出 之 1种或2种以上者。 4﹒如申请专利范围第3项之方法,其中上述含有卤 族元素之气体系为:CL 2气与HBr气之混合气体。 5﹒如申请专利范围第1项之方法,其中HCL气与HBr气 之流量比为10 :1-2:1。 6﹒如申请专利范围第1项之方法,其中含有氧或氮 之气体的流体比例占上述 处理气体中的10%以下。 7﹒如申请专利范围第6项之方法,其中含有氧或氮 之气体的流量比例占上述 处理气体中的1-4﹒5%。 8﹒﹒如申请专利范围第1项之方法,其中上述处理 气体之电浆系藉由将处理 气体供应到装入有被处理体之处理室内,并比将高 频电力供应到相对向的 一对电极之间而被形成者。 9﹒﹒如申请专利范围第8项之方法,其中系将在形 成电浆时之处理室内的压 力设定在lTorr以下。 10﹒﹒如申请专利范围第1项之方法,其中的矽含有 层系为多晶矽层。 11﹒一种矽含有层之蚀刻方法,系属于在具有:Sio2 膜以及与其邻接之 由SiO2以外约合矽物质所形成的矽含有层之被处理 体上的矽含有层 进行蚀刻之方法,其特征为:具有:使得以含卤族元 素之气体为主体之 处理气体产生电浆之过程;以及选择性地使上述矽 含有层的特定部份曝 露在电浆之中以行蚀刻之过程;以及在于上述矽含 有层被电浆蚀刻至预 定的厚度之时候,在该处理气体中添加入含氧或氮 之气体之过程;以及 藉由被添加有含氧或氮之气体之处理气体的电浆 来将上述矽含有层的残 余部份予以蚀刻之过程。 12﹒如申请专利范围第11项之方法,其中上述含有 氧或氮之气体系为:从 02气、N2O气、CO2气、CO气、N2气、及NO2气之中所选 出上1种或2种以上者。 13﹒如申请专利范围第11项之方法,其中上述含有 卤族元素之气体系为: 从CL2气、HCL气、HBr气、HL气、SF6气、CF气之中所 选出上1种或2种以上者。 14﹒﹒如申请专利范围第13项之方法,其中上述含 有卤族元素之气体系为 :CL2气与HBr气之混合气体。 15﹒如申请专利范围第14项之方法,其中上HCL气与 HBr气之流量比 为10:1-2。 16﹒如申请专利范围第11项之方法,其中上有氧或 氮之气体的流量比例占 上述处理气体中的10%以下。 17﹒如申请专利范围第16项之方法,其中上有氧或 氮上气体的流量比例占 上述处理气体中的1-4﹒5%。 18﹒如申请专利范围第11项之方法,其中上述处理 气短之电浆系藉由将处 理气体供应到装入有被处理体之处理室内,并比将 高频电力供应到相对 向的一对电极之间而被形成者。 19﹒如申请专利范围第18项之方法,其中上将件形 成雷浆时之处理室内的 压力设定在lTorr以下。 20﹒如申请专利范围第11项之方法,其中上矽含有 层系为多晶矽层。图示简单说明 第1图系半导体晶圆上之多晶矽层应 蚀刻的部份所示之断面图。 第2图系半导体晶圆上之多晶矽层应 蚀刻的部份,多晶矽层形成阶段状的部份 所示之断面图。 第3图系将在第2图的部份之多晶矽 层予以蚀刻后的状态所示之断面图。 第4图系用以实施本发明之装置之一 例所示之断面图。 第5图系在第4图的装置上安装了搬 入搬出用的载装锁定室之状态所示之模 式图。 第6图系使用HC1及HBr气体作为含 有卤族元素之气体,并且令HBr气体流量 变化之情况下之多晶矽层、SiO2层、及 抗蚀剂层之蚀刻率所示之图表。 第7图系使用HC1及HBr气体作为含 有卤族元素之气体,并令HBr气体的流量 变化之情况下之多晶矽对于SiO2层、以 及对于抗蚀剂层之选择比、以及多晶矽层 的均匀性所示之图表。 第8图系使用C12气体作为含有卤族 元素之气体,以O2气作为添加气体之情 况下,令O2气体的流量变化之场合,多 晶矽层对于SiO2层以及对于抗蚀剂层之 选择比、多晶矽层,SiO2层,及抗蚀剂 层之蚀刻率、多晶矽层之均匀性所示之图 表。 |
