发明名称 |
磁补偿式霍尔电流传感器用非晶磁芯制法 |
摘要 |
本发明用于磁补偿式霍尔电流传感器的切割磁芯。本发明的成分为FczNiyMxSi7-10B12-15(其中M为Mo或Mn,x为0-5,y为0-40,z为36-78),经过特殊的部分晶化退火或横磁场退火,使剩磁降低和改善高频特性,最后采用半柔性环氧树脂进行封装固化和切割而成。与传统坡莫磁芯相比,本发明非晶磁芯的重要优点是原材料和制造成本低、易于制造,有优良的频率特性和更低的剩磁和矫顽力,可改善传感器的响应时间和精度。 |
申请公布号 |
CN1069823A |
申请公布日期 |
1993.03.10 |
申请号 |
CN91111757.1 |
申请日期 |
1991.12.29 |
申请人 |
首都钢铁公司 |
发明人 |
张家骥;涂国超;史长利 |
分类号 |
H01F41/02;H01F3/00;G01R19/00 |
主分类号 |
H01F41/02 |
代理机构 |
首都钢铁公司专利代理事务所 |
代理人 |
牛照祥 |
主权项 |
1、软磁非晶磁芯制法,其特征在于化学成分(重量%)为:FezNiyMxSi7-10B12-15(其中M为Mo或Mn,x为0-5,y为0-40,z为36-78),采用真空感应炉冶炼棒状母材,用单辊法制成要求宽度的非晶带材,绕成环形或跑道形磁芯,然后进行部分晶化退火或横磁退火,再经固化处理成型,最后进行气隙切割。 |
地址 |
100041北京市石景山 |