发明名称 Field effect transistor and method of fabricating
摘要
申请公布号 US5192696(A) 申请公布日期 1993.03.09
申请号 US19920821518 申请日期 1992.01.15
申请人 GTE LABORATORIES INCORPORATED 发明人 BULAT, EMEL S.;HERRICK, CHARLES
分类号 H01L29/80;H01L21/335;H01L29/772 主分类号 H01L29/80
代理机构 代理人
主权项
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