| 摘要 |
Un boîtier (10) à semi-conducteur comprend un composant de base (12) en céramique, une pluralité de pastilles de connexion (18) en matière métallique électroconductrice, des premier et second bus (20, 22) électroconducteurs, un composant (24) de blindage pour signaux contenant des première et seconde plaques (26, 28) électroconductrices, isolées électriquement l'une de l'autre par une matière (30) diélectrique à haute température, ledit composant de blindage (24) étant soudé au composant de base à l'extérieur de la pastille de connexion et des bus. Une couche de matière diélectrique (32) recouvre la surface du composant de blindage (24) et une fritte de verre (34) est soudée à la couche de matière diélectrique (32). La fritte (34) comporte les conducteurs (36) s'étendant à partir d'une grille de connexion métallique (38) logée dans sa surface extérieure. Les conducteurs (36), la couche diélectrique (32) ainsi que les composants de blindage pour signal sont en alignement. Les conducteurs (36) sont électriquement connectés à la pastille de connexion (18) et les première et seconde couches électroconductrices (26, 28) sont connectées aux premier et second bus électroconducteurs (20, 22). Un procédé de formation du boîtier consiste à déposer, en ordre séquentiel et dans des zones prédéterminées sur un composant de base céramique précuit, les matières métalliques, tels que les métaux précieux et les alliages en métaux précieux, les diélectriques à haute température ainsi que la fritte de verre. La puce à semi-conducteur connectée électriquement aux autres composants électroconducteurs peut être scellée hermétiquement à l'intérieur du boîtier par scellement d'un couvercle imperméable au boîtier. |
